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近日，SEMICON China2026国外半导体展在上海召开。
动作该届展会的蹙迫论坛之一，异构集成(先进封装)国外会议以“AI算力与CPO”为主题，蕴蓄大家产业魁首和行业内行，聚焦AI算力爆发与带宽升级中枢需求，深度领会2.5D/3D异构集成、CPO硅光、HBM、Chiplet与UCIe等要道时刻，深度领会从需求痛点到时刻有操办的势必旅途。
SEMI中国总裁冯莉在致辞设施指出，当下AI算力每3.5个月翻倍、HPC数据中心带宽需求随之突破100Tbps，传统封装时刻已难以承载下一代产业需求，这使得异构集成(HI)成为势必遴荐。2026年大家先进封装商场将超700亿好意思元，其增长内容是时刻对需求的精确反馈。
在异质异构集成赋能AI改进的主旨演讲设施，宏茂微电子首席时刻内行郭一凡先容了2.5D异构集成先进封装贬责有操办及发展趋势。他以为AI需求不是泡沫，投资范畴抓续增长，投资呈报正在发生，但AI营收进步如今仍受限于互联带宽(BW)瓶颈，Chiplet+高密度互联异构集成已成为进步AI算力的最好门路。
同期，他详解了2.5D封装中CoWoS-R、CoWoS-S、CoWoS-L片间互联时刻的优劣势，相较FC封装可大幅提高带宽，但也大幅加多了封装本钱。Chiplet先进封装时刻中，跟着Scale-up w/CPO超节点架构应用，系统集成度握住进步，中介层尺寸握住增大，晶圆(Wafer)中介层面积诈骗率急剧恶化，板级(Panel)制程大势所趋，并强调高密度板级封装是畴昔高算力异构集成的有用贬责有操办。
在武汉新芯集成电路股份有限公司代工业务处商场总监郭晓超看来，先进封装商场额外是2.5D/3D范畴正快速彭胀，行业主流有操办已从CoWoS-S向CoWoS-L、SoW及3.5D XDSiP演进，集成范畴握住扩大，搀杂键合是终了高密度互连的要道。
随后她要点共享了晶圆级搀杂键合靠近的工艺挑战包括散热旅途复杂、散热通说念微缩、复杂材料也带来了应力分析方面的挑战。三维集成时刻的想象经过将从规范化向客制化改换，想象仿真需消失跨规范、多物理场耦合。终末，她强调，异质集成搀杂键合是进步算力的中枢时刻，不仅需要晶圆厂的工艺突破，更是需要想象门径论、材料、树立共同协作的团体赛。
在CPO和硅光专题演讲设施。新加坡微电子议论院总监Dr.Patrick Poa在演讲主题中先容，跟着AI模子范畴彭胀，互连带宽已成为系统瓶颈——夙昔三十年间野心肠能进步6万倍，而互连带宽仅增长30倍。共封装光学(CPO)通过将光引擎紧邻交换芯片放手，将电气传输距离裁减至10毫米以内，显贵辩驳功耗。随后他先容了CPO性能进步的四大支柱：数据速度向朝上400G/lane演进；互连从微凸点向搀杂键合演进；光中介层向更高密度的TDV/TSV有操办演进；光耦合有操办在边际耦合与垂直耦合间量度。在材料与工艺层面，硅光子正贴近200G/lane极限，需引入InP、Ge、SiN、TFLN等异质材料。TFLN调制器与SiN波导的集成，将支抓从1.6Tb/s到25.6Tb/s的CPO阶梯图演进。
IDTechEx首席议论照顾人何晓溪叙述，在时刻旅途对比中，硅光相较于InP有操办具备更高的制造范畴与可靠性，通过异质键合将激光器与调制器差异，有用辩驳热串扰风险，薄膜铌酸锂(TFLN)调制器有操办已终了110GHz带宽，梗阻了“硅光太慢”的传统领会。何晓溪以为，CPO是异构集成在光电范畴的典型应用，2D与3D集成有操办正渐渐进修，将成为下一代AI集群突破带宽瓶颈的中枢时刻。
在HBM与AI算力封装专题演讲设施，ERS electronic GmbH首席实施官Laurent Giai-Miniet先容了ERS在晶圆针测与先进封装范畴的时刻布局。在先进封装范畴，从晶圆级向面板级过渡已成为进步产能成果的蹙迫标的，但面板尺寸放大带来的翘曲问题尤为卓绝，需通过精确的温控与机械改造技巧加以贬责。在晶圆针测设施，AI与HPC芯片的功耗抓续攀升，单芯片测试功耗加多，对测试设施的温度均匀性、散热能力以及温区消失范围提倡了更高条目，液冷等高效散热技巧正成为行业标配。
Comet商场营销与居品策略副总裁Isabella Drolz以《重构HBM封装三维检测》为题，指出对先进封装而言，零颓势已成为行业刚需，X射线检测与AI算法的深度交融，正激动半导体检测从离线故障分析向在线过程放胆演进。以TSV为例，直径10微米、深宽比10:1的通孔中，2微米级虚浮的识别已可自动完成。
他以为天元证券-配资炒股平台交易系统与执行方式说明，在芯片级封装中，3D bump metrology可精确测量焊球偏移、桥接、枕头效应等颓势，为工艺换取提供量化依据。X射线检测正从单一的失效分析器用，演变为通顺工艺诱骗与量产监控的全经过赋能平台，这关于HBM等复杂多层堆叠封装尤为蹙迫。
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